سئول : سامسونگ الکترونیکس اعلام کرد که در مسیر عرضه نسل بعدی محصولات حافظه با پهنای باند بالای HBM4 خود در سه ماهه اول سال 2026 قرار دارد. این شرکت اعلام کرد که خط تولید HBM4 شامل محصولاتی با عملکرد 11.7 گیگابیت بر ثانیه خواهد بود، زیرا فروش حافظه مورد استفاده در سرورها و شتابدهندههای هوش مصنوعی را گسترش میدهد. سامسونگ نام مشتریان تحویل اولیه HBM4 را ذکر نکرد و حجم محمولهها را در گزارشهای درآمدی خود فاش نکرد.
سامسونگ در نتایج سهماهه چهارم و کل سال ۲۰۲۵ خود اعلام کرد که کسبوکار حافظه این شرکت، رکوردهای بالایی را در درآمد سهماهه و سود عملیاتی ثبت کرده است که این امر با فروش بیشتر محصولات با ارزش بالا از جمله HBM، DDR5 سرور و درایوهای حالت جامد سازمانی پشتیبانی میشود. این شرکت اعلام کرد که محدودیت در عرضه همچنان یک عامل است، حتی با اینکه تقاضا برای محاسبات هوش مصنوعی همچنان مصرف حافظه و ذخیرهسازی پیشرفته مورد استفاده در مراکز داده را افزایش میدهد.
حافظه با پهنای باند بالا، یک فناوری DRAM با چیدمان عمودی است که برای افزایش توان عملیاتی دادهها در مقایسه با DRAM معمولی طراحی شده است و HBM4 جدیدترین نسل پس از HBM3E است. سامسونگ در ارائهای به سرمایهگذاران که همراه با انتشار گزارش مالی بود، اعلام کرد که قصد دارد عرضه «محصولات انبوه» HBM4، از جمله نسخه 11.7 گیگابیت بر ثانیه، را آغاز کند و «ارسال به موقع» HBM4 را به عنوان بخشی از چشمانداز کوتاهمدت خود برای محصولات مرتبط با هوش مصنوعی ذکر کرد.
انویدیا، بزرگترین تامینکننده شتابدهندههای مرکز داده هوش مصنوعی ، پلتفرم Rubin خود را معرفی کرده است که به گفته این شرکت از HBM4 در پیکربندیهای مختلف سیستم استفاده میکند. در صفحه مشخصات محصول انویدیا برای سیستم مقیاس رک Vera Rubin NVL72، این شرکت 20.7 ترابایت HBM4 با پهنای باند 1580 ترابایت در ثانیه و 288 گیگابایت HBM4 با پهنای باند 22 ترابایت در ثانیه را برای یک پردازنده گرافیکی Rubin فهرست کرده است، و خاطرنشان میکند که این ارقام اولیه هستند و ممکن است تغییر کنند.
الزامات حافظه پلتفرم روبین
بیانیه نتایج سامسونگ همچنین به کار گستردهتر در زمینه تولید و بستهبندی نیمههادیهای پیشرفته مرتبط با محاسبات هوش مصنوعی اشاره کرد. این شرکت اعلام کرد که بخش ریختهگری آن تولید انبوه محصولات نسل اول ۲ نانومتری را آغاز کرده و ارسال محصولات پایه HBM 4 نانومتری، اجزایی که در لایه منطقی پشتههای حافظه با پهنای باند بالا استفاده میشوند، را آغاز کرده است. سامسونگ اعلام کرد که قصد دارد از طریق ادغام فناوریهای منطق، حافظه و بستهبندی پیشرفته، راهحلهای بهینه ارائه دهد.
سایر تولیدکنندگان بزرگ حافظه نیز جدول زمانی برای آمادگی HBM4 خود منتشر کردهاند. SK hynix در سپتامبر 2025 اعلام کرد که توسعه و آمادهسازی HBM4 را تکمیل کرده و یک سیستم تولید انبوه را آماده کرده است. Micron در ارائه خود به سرمایهگذاران در دسامبر 2025 اعلام کرد که HBM4 آن، با سرعت بیش از 11 گیگابیت بر ثانیه، در مسیر افزایش تولید با بازده بالا در سهماهه دوم تقویمی 2026 است که مطابق با برنامههای افزایش پلتفرم مشتریان است.
نقشههای راه رقیب HBM4
میکرون در توصیف برنامه HBM4 خود گفت که HBM4 آن از فناوریهای پیشرفته CMOS و متالیزاسیون در قالب منطقی پایه و قالبهای DRAM که به صورت داخلی طراحی و تولید میشوند، استفاده میکند و به بستهبندی و قابلیت آزمایش به عنوان عاملی حیاتی برای اهداف عملکرد و توان اشاره کرد. SK hynix HBM4 را به عنوان بخشی از پیشرفت نسلی در حافظههای انباشته ساخته شده برای هوش مصنوعی با عملکرد فوق العاده بالا توصیف کرده است، جایی که پهنای باند و راندمان توان از الزامات اصلی برای عملکرد مرکز داده هستند.
گزارشهای مالی سامسونگ، برنامه تحویل HBM4 این شرکت را به هیچ برنامه پردازنده هوش مصنوعی یا استقرار مشتری خاصی مرتبط نکرده است. اطلاعیهها و مشخصات منتشر شده توسط انویدیا در مورد Rubin، تأمینکنندگان HBM4 را شناسایی نمیکند و انویدیا تخصیص فروشندگان برای HBM4 مورد استفاده در سیستمهای Rubin را فاش نکرده است. جدول زمانی تأیید شده سامسونگ، همانطور که در انتشار نتایج آن ذکر شده است، این است که انتظار میرود تحویل HBM4 در سه ماهه اول سال 2026 آغاز شود. – توسط خدمات سندیکایی محتوا .
این پست که سامسونگ برای رونق هوش مصنوعی، تحویل تراشههای HBM4 در سهماهه اول را هدف قرار داده است، اولین بار در UAE Gazette منتشر شد.